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Álbum de Figurinhas Oficial da Copa do Mundo da Rússia 2018 - Colecione!

Combo a Transistores BEHRINGER V-TONE GM108 - Manual Sonigate

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V-TONE Technical Specifications ENGLISH Version 1.0 July 2003
Enviado por sonigate em 03/05/2011
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Combo a Transistores PEAVEY VYPYR 75 - Manual Sonigate

issuu.com/sonigate/docs/a1ca3ebb47fb466774218bdd8fd29...
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Combo a Transistores BEHRINGER GUITAR AMPLIFIER GTX30 - Manual Sonigate

issuu.com/sonigate/docs/adaf4dfaae10f9bd9b612b9c063b5...
GUITAR COMBO Manual de Instruções A50-99230-04002 Para reduzir o risco de incêndios ou choques eléctricos + o aparelho não deve ser exposto à chuva nem à humi- dade. Além disso, não deve ser sujeito a salpicos, nem devem ser colocados em cima do aparelho objectos contendo líquidos, tais como jarras. Este símbolo, onde quer que o encontre, alerta-o para a leitura das instruções de manuseamento que acompanham o equipamento. Por favor leia o manual de instruções. 2
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Combo a Transistores PEAVEY VYPYR 30 - Manual Sonigate

issuu.com/sonigate/docs/ceed9615a19979197721e5da7000a...
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2SK556 - TRANS MOS-N-FET 450V/12A/100W - Manual Sonigate

issuu.com/sonigate/docs/210f0d9e3236d960c74ef43ab7140...
No Description
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TRANSISTOR 5L0380RTU TO220F 4PINOS - Manual Sonigate

issuu.com/sonigate/docs/185f9f0e4899448848868db54ed23...
1.6.7.8 Drain 2. GND 3. V CC 4. FB 5. NC Rev.1.0.5 *Asterisk - KA5M0365RN, KA5L0365RN TO-220F-4L 1. GND 2. Drain 3. V CC 4. FB 2.5R 1R 8-DIP #1 GND #2 DRAIN OVER VOLTAGE S/D (*#2 GND) #3 V CC ©2002 Fairchild Semiconductor Corporation OSC (*#1.6.7.8 DRAIN) #4 FB 1mA 5V Vref SFET (*#4 FB) (*#3 V CC ) Thermal S/D 32V Power on reset 27V 7.5V 9V 5µA + − + 1
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Tiristores - Diacs, Sidacs, SCRs e Triacs 1.25 Amp 600 Volt - Manual Sonigate

issuu.com/sonigate/docs/4133f885c18d6eaf953af3347296c...
www.unisonic.com.tw 1 of 5 Copyright © 200 Unisonic Technologies Co., Ltd QW-R301-006.B DESCRIPTION ORDERING INFORMATION SCR *Pb-free plating product number: X0202L/X0202AL The UTC X0202/A SCR series is suitable for all applications where the available gate current is limited, such as ground fault circuit interruptors, overvoltage crowbar protection in low power supplies, capacitive ignition circuit, ……. * I T(RMS) : 1.25A * V DRM /V RRM :600/800V
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2SA1294 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor - Manual Sonigate

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f T –I E Characteristics (Typical) I B1 (mA) –500 –1. 5A –1. 0A V BB1 (V) –10 10m s R L (Ω) 12 V CC (V) –60 –300 mA I C (A) –5 –50 0mA –0.02 –0.1 –0.5 –1 –5 –15–10 –0.02 –0.1 –1 –10–5–0.5 –15 –3.0A 20.0min 4.0max 125˚C 3.5 0 19.9 ±0.3 4.0 Without Heatsink Natural Cooling 0 0 Without Heatsink a b –100mA 200 200 100 100 130 100 Typ Emitter Current I E (A) 125˚C –50mA 15.6 ±0.4 9.6 DC –200m 25˚C Typ (V CE =–12V) 10 50 20 40 60 50 10 A
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Transistor FQPF12N60C MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F - Manual Sonigate

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Absolute Maximum Ratings Thermal Characteristics Features Description G SD • 12A, 600V, R DS(on) = 0.65Ω @V GS = 10 V • Low gate charge ( typical 48 nC) • Low Crss ( typical 21pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability • RoHS compliant FQP12N60C FQPF12N60C FQP12N60C FQPF12N60C September 2007 F Q P 1 2 N 6 0 C / F Q P F 1 2 N 6 0 C 6 0 0 V N - C h a n n e l M O S F E T FQP12N60C / FQPF12N60C Rev. B1 TO-220F 51 0.41 TO-220 Unit Unit G SD 225 1.78 G D
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2SC1953 Silicon NPN epitaxial planar type - Manual Sonigate

issuu.com/sonigate/docs/2d0fffc309546d2b017d4d6299c91...
■Features ■Electrical Characteristics T C = 25°C ± 3°C 15.0 ±0.3 5.0 ±0.2 11.0 ±0.2 1: Base 2: Collector 3: Emitter EIAJ: SC-92 TOP-3F-A1 Package Publication date: March 2003 SJD00063BED Internal Connection 5.45 ±0.3 10.9 ±0.5 1 2 3 2.0 ±0.2 2.0 ±0.1 0.6 ±0.2 1.1 ±0.1 1 B C Unit: mm E Solder Dip φ 3.2 ±0.1 21.0 16.2 15.0 (3.5) (0.7) (3.2) ± 0.5 ± 0.5 ± 0.2
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